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Zhores Ivanovich Alferov

 

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(1930 – )Físico e matemático bielo-russo nascido em Vitebsk, Bielorússia, uma das então repúblicas constituintes da então União Soviética, pesquisador em estruturas semicondutoras e, por isso, vencedor de 1/4 do Prêmio Nobel de Física (2000). Graduado no Departamento de Eletrônica de V. I. Ulyanov (Lenin) do Instituto Eletrotécnico de Leningrado, tornou-se membro do Instituto Físico-Técnico (1953), onde foi pesquisador júnior (1953-1964) e sênior (1964-1967), chefe do laboratório (1967-1987) e diretor (1987- ). Doutorou-se em física e matemática (1970) no Instituto Físico-Técnico Ioffe, em Leningrado, hoje São Petersburgo, instituição em que permaneceu e passou a dirigir (1987). Foi eleito membro da Academia de Ciências da USSR (1972), membro pleno (1979), assumiu a cadeira de optoeletrônica da Universidade Estatal de Eletrotécnica de São Petersburgo (1973). Nomeado Deão da Faculdade de Física e Tecnologia Universidade Técnica de São Petersburgo (1988), tornou-se Vice-Presidente da Academia de Ciências da USSR (1989) e Presidente do Centro Científico de São Petersburgo. Entre as muitas honrarias internacionais destacam-se a Ballantyne Medal of the Franklin Institute (USA, 1971), o Prêmio Lenin (USSR, 1972), o Hewlett-Packard Europhysics Prize (1978), o Prêmio Estatal (USSR, 1984), a Gaas Symposium Award e a medalha H. Welker (1987), o Prêmio Karpinskii (FRG, 1989) e o Prêmio Ioffe da academia russa de ciências (1996), além de membro honorário de de muitas outras instituições de ensino e pesquisa nos Estados Unidos, Inglaterra, Alemanha, Cuba, Rússia, Coréia, Paquistão, etc. Autor de quatro livros, cerca de 400 artigos e mais de 50 invenções na tecnologia de semicondutores, na qual passou a trabalhar (1962), atualmente é o editor-chefe da revista de física russa Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki e membro editorial da edição russa da revista científica Nauka i Zhizn. Dividiu a metade do Prêmio Nobel de Física (2000), com o norte-americano Herbert Kroemer, da Universidade de Santa Barbara, Califórnia, Estados Unidos, pelo desenvolvimento de estruturas semicondutoras usadas em equipamentos óptico-eletrônicos. Aplicada a transistores rápidos, a tecnologia de componentes eletrônicos baseados em estruturas semicondutoras está presente hoje em satélites e estações de base de telefones móveis. A mesma técnica permitiu também a criação de diodos de laser que guiam a informação transmitida por fibras ópticas. Esses equipamentos são encontrados no dia-a-dia em telefones celulares e leitores de CD ou códigos de barras. As estruturas semicondutoras desenvolvidas por eles estão presentes nas estações de base de telefonia celular. O agraciado com a outra metade foi o norte-americano Jack Kilby, da Texas Instruments, por sua contribuição na invenção dos circuitos integrados, os chips.

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